根據南韓媒體《BusinessKorea》的報導指出，中國一直企望發展半導體產業，但在近期受到南韓記憶體大廠三星與 SK 海力士在市場壟斷與持續技術精進下，加上美國對智慧財產權的嚴密保護，其目的將難以達成。
報導指出，2018 年 10 月份，在中國 NAND Flash 快閃記憶體技術上領先的長江存儲 (YMTC) 發布了自行研發的 32 層堆疊產品之後，當時就宣布將在 2020 年時跳過 64 層及 96 層堆疊的產品，直接發展 128 層堆疊的產品。由於南韓的記憶體龍頭廠三星，早在 2014 年就已經推出了 32 層堆疊的 NAND Flash 快閃記憶體產品，所以在過去在技術上至少有 5 年的領先差距。
只是，如果依照計畫，長江存儲一旦真的能在 2020 年推出 128 層堆疊的產品，相較三星在 2019 年要量產 96 層堆疊的產品，並且預計在年底開發出 128 層堆疊的產品，則三星在 NAND Flash 快閃記憶體技術上領先長江存儲就僅剩下一年的時間，其追趕的進度令人驚訝。
由於在 NAND Flash 快閃記憶體技術發展，從 32 層堆疊到 64 層堆疊，再到 96 層堆疊，乃至於到目前最新的 128 層堆疊技術，其每一代的技術研發大概需要一年的時間。如此，長江存儲雖然號稱要在 2020 年推出 128 層堆疊的產品，但結果是在目前半導體市場低迷，再加上三星與 SK 海力士兩家公司幾乎壟斷市場，長江存儲連 32 層堆疊的 NAND Flash 快閃記憶體大量量產都有問題的狀況下，更遑論要開發最新 128 層堆疊技術的產品，因此中國要發展 NAND Flash 快閃記憶體產業就此受阻。
再談到較 NAND Flash 快閃記憶體技術更為複雜的 DRAM 產業時，雖然中國也一直視為重點發展產業，不過當前中國在這產業可說是一團混亂。原因是自 2018 年開始，原本積極布局伺服器 DRAM 領域的廠商福建晉華，在受到美國禁售令的影響，目前已經逐步退出市場。儘管福建晉華在 2011 年就已經宣布推出 32 奈米製程的 DRAM 樣品，只是在美國積極保護 DRAM 智慧財產權，而且祭出禁售令的情況之下，福建晉華是不是能夠有機會推出這個規格的產品，目前還在未定之天。
因此，在目前整體大環境並不允許中國發展半導體，尤其是記憶體產業的情況下，目前中國在半導體領域只能專注於 IC 設計的領域中。報導指出，截至 2016 年底為止，在中國約有 1,500 家無晶圓廠的 IC 設計公司，這些無晶圓廠的 IC 設計公司都需要晶圓代工廠的協助，這使得多家全球性的晶圓廠看準這筆生意，積極布局。
只是，中國的無晶圓廠 IC 設計公司發展，近來似乎也面臨了困難。例如，日前《日經亞洲評論》報導指出，疑似因美國政治力介入的因素，使得處理器龍頭英特爾（intel）日前正式結束與中國晶片廠商紫光展銳在 5G 基頻晶片上的合作，雙方自 2018 年 2 月份宣布合作以來，短短一年的時間就告吹。由此例就顯示，美國政府除了在記憶體領域加強管控之外，在非記憶體的導體產業領域也有逐漸縮緊的趨勢。
而除了 IC 設計公司的發展遭遇瓶頸之外，就連晶圓代工產業，中國廠商也壓力增加。以中國最大的晶圓代工廠中芯國際來說，預計 2019 年上半年才會達到 14 奈米製程量產的目標。這相較其他領先的晶圓代工廠來說，至少是落後了一個世代以上。雖然，之前有媒體點名，如果格芯(GLOBALFOUNDRIES) 有機會出售，則中芯國際是最佳的買家之一。但是，面對美國的管制趨緊情況，這也幾乎成為不可能的任務，也使得中國的半導體產業發展，未來仍有許多的瓶頸與不確定性。
(首圖來源:shutterstock)
資料來源引用:https://technews.tw/2019/03/19/brakes-put-on-chinas-semiconductor-ambition/
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